Samsung Electronics, de wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie, heeft de massaproductie aangekondigd van een 250GB SATA SSD op basis van een zesde generatie 256-Gigabit V-NAND module met meer dan 100 lagen van drie-bit cellen, voor levering aan wereldwijde pc-fabrikanten. Samsung had slechts 13 maanden nodig om zijn V-NAND van de volgende generatie te bouwen, waardoor de productiecyclus met vier maanden werd verkort en de snelste, meest energie-efficiënte en gemakkelijkst te vervaardigen modules werden geproduceerd.
Samsungs V-NAND-modules van de zesde generatie hebben de hoogste gegevensoverdrachtssnelheden in de sector en tonen het productievoordeel van het bedrijf dat 3D-geheugen naar een hoger niveau tilt. Dankzij de unieke “channel etch” technologie van Samsung hebben de nieuwe V-NAND chips ongeveer 40% meer cellen dan de 9x geheugenmodules van de vorige generatie. Dit wordt bereikt door de vorming van een elektrisch geleidende structuur met 136 lagen, gevolgd door verticale doorboring van cilindrische gaten van boven naar beneden, wat resulteert in homogene driedimensionale cellen met charge trap flash CTF technologie.
Naarmate de hoogte van de matrijs in elke cel toeneemt, worden NAND flash-chips gevoeliger voor fouten en leesvertragingen. Om deze beperking te overwinnen, heeft Samsung een voor snelheid geoptimaliseerd circuitontwerp geïntroduceerd dat maximale overdrachtsnelheden bereikt van minder dan 450 microseconden µs voor schrijfbewerkingen en minder dan 45 µs voor leesbewerkingen. Vergeleken met de vorige generatie levert het nieuwe ontwerp meer dan 10% betere prestaties en meer dan 15% minder stroomverbruik.
Dankzij een geoptimaliseerd ontwerp kunnen V-NAND-oplossingen van de volgende generatie meer dan 300 lagen bereiken, waarbij drie cellen van de zesde generatie worden gecombineerd zonder afbreuk te doen aan de prestaties of betrouwbaarheid van de chip. Bovendien vereist de volgende generatie 256 GB-chip slechts 670 miljoen golflengten om te produceren, tegenover 930 miljoen bij de vorige generatie. De kleinere chip van de schijf en de verminderde productiestappen resulteren in een 20% efficiëntere productie.
Door gebruik te maken van snelle en energiezuinige functies wil Samsung niet alleen het gebruik van zijn 3D V-NAND-oplossingen uitbreiden naar apparaten zoals mobiele gadgets en bedrijfsservers, maar ook naar de automobielmarkt waar een hoge betrouwbaarheid van groot belang is.
“Door geavanceerde 3D-geheugentechnologie in massaproductiemodellen te verwerken, kunnen we geheugenproductlijnen introduceren met een aanzienlijk hogere snelheid en een hoger energieverbruik”, aldus Kye Hyun Kyung, vice-president flashgeheugen en technologie bij Samsung Electronics. – Door de ontwikkelingscyclus voor V-NAND-producten van de volgende generatie te verkorten, kijken wij uit naar het agressief nastreven van snelle, krachtige oplossingen op basis van 512 Gigabit V-NAND.
Na de introductie van SSD’s van 250 GB is Samsung van plan om in de tweede helft van het jaar SSD’s met 512 GB triple V-NAND en eUFS te introduceren. Het bedrijf is ook van plan de productie van zijn snelle V-NAND-oplossing van de zesde generatie vanaf volgend jaar uit te breiden in zijn fabriek in Pyeongtaek, Korea.
